Albanesi, Eduardo A.; Makinistian, Leonardo; Naudi, Andrés A.
Autores: Facultad de Ingeniería, Universidad Nacional de Entre Ríos
Contacto: eaa@santafe-conicet.gov.ar
Resumen
Hemos estudiado computacionalmente las propiedades electrónicas y ópticas de los compuestos semiconductores IV-VI PbS, PbSe y PbTe (cúbicos) y GeS, GeSe (ortorrómbicos), y del In4Se3. Estos compuestos son de interés en el desarrollo de dispositivos opto-electrónicos como sensores, celdas fotovoltaicas, y diodos láser, que a su vez tienen una amplia aplicación en tecnología médica y en la industria. También estudiamos el efecto de impurezas en CsCl, en la absorción óptica en films delgados con estrés residual. También hemos modelado las propiedades electrónicas y ópticas de los materiales semiconductores de band gap ancho PbI2 y ZnO. El primero puede ser utilizado como sensor de radiación de altas energías en equipamiento biomédico de rayos X y gamma. El ZnO presenta importantes características de piezoelectricidad y resulta biocompatible, lo que permitirían utilizarlo en bioimplantes.
Palabras clave: modelado computacional de materiales, propiedades electroópticas de semiconductores, sensores de infrarrojo, sensores de rayos X
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